| 发明名称 | 用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法。该低温多晶硅的退火方法，用于一玻璃基板，该玻璃基板上形成有第一金属层及硅膜层，退火方法包括下列步骤：将一波长大于400奈米的激光束照射硅膜层，硅膜层吸收激光束的一部分而被加热熔化，且激光束另一部分是穿透硅膜层并从第一金属层反射至硅膜层，使硅膜层吸收反射的激光束而被再加热而结晶；以及在激光束照射后静置硅膜层，使硅膜层的温度下降至室温。该系统，用于显示影像，其包括一低温多晶硅基板，具有一玻璃基板、一第一金属层及一多晶硅膜层。本发明不仅可以提高激光束的使用率，亦由于使用固态激光束更可节省使用成本，另外更加提升薄膜电晶体的电子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN101075555A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200610080561.2 | 申请日期 | 2006.05.17 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 森本佳宏;李淂裕;刘侑宗 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种低温多晶硅的退火方法，用于一玻璃基板，其中该玻璃基板上是形成有一第一金属层及一硅膜层，其特征在于该退火方法包括下列步骤：将一波长大于400奈米的激光束照射该硅膜层，其中该硅膜层吸收该激光束的一部分而被加热熔化，且该激光束的另一部分是穿透该硅膜层并从该第一金属层反射至该硅膜层，以使该硅膜层吸收反射的该激光束而被加热再结晶；以及在该激光束照射后静置该硅膜层，以使该硅膜层的温度下降至室温。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||