| 发明名称 | 高压侧驱动器的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开一种包括离子掺杂结的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂结包括一衬底及一深阱。深阱形成于衬底内并具有一第一凹结构。离子掺杂结包括一连接至该深阱的第一凹结构的半导体区域，该半导体区域并具有与该衬底实质上相同的离子掺杂浓度。借此得以增加邻近电容结构凹区域的高压结的击穿电压。因此，得以降低芯片面积及制造高压侧驱动器的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN200979883Y | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200620149902.2 | 申请日期 | 2006.10.30 |
| 申请人 | 崇贸科技股份有限公司 | 发明人 | 蒋秋志;黄志丰 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种高压侧驱动器的半导体结构，包括一离子掺杂结，该离子掺杂结包括：一衬底；以及一深阱，形成于所述衬底内，所述深阱具有一第一凹结构；其特征在于，所述离子掺杂结包括一连接至所述深阱的第一凹结构的半导体区域，并且所述半导体区域具有与所述衬底实质上相同的离子掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 | ||