| 发明名称 | 半导体元件和使用半导体元件的半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100350617C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN03107081.7 | 申请日期 | 2003.03.05 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;加藤清;矶部敦生;宫入秀和;须泽英臣 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，包括：半导体层，该半导体层包括：沟道区，其包括在绝缘表面之上具有多个晶体取向而基本不包括晶粒边界的第一结晶半导体区；以及源或漏区，其包括导电的第二结晶半导体区，所述第一结晶半导体区连接到第二结晶半导体区，以及沟道区之上的栅电极，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面之上以线形条状图形延伸的绝缘膜的方向上延伸，且第二结晶半导体区排列在以线形条状图形延伸的绝缘膜上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||