半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构。在一构造成经过其衬底引出光的半导体发光器件中，电极层形成在有源层上形成的p型半导体层(例如p型GaN层)上，且镍层形成为电极层和p型半导体层之间的且在厚度上被调整为不超出有源层中产生的光的穿透深度的接触金属层。由于镍层充分薄，所以反射效率可以提高。

主权项

1.一种半导体发光器件，该器件包括顺序沉积在光学透明衬底上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，该器件包括：形成在所述有源层上的所述第二导电类型的半导体层上的电极层；以及一种由Ni、Pd、Co或Sb制造的接触金属层，其间插在所述电极层和所述第二导电类型的半导体层之间，并且在厚度上调节得不超出所述有源层中产生的所发射的光的穿透深度。