| 发明名称 | 用于制造CMOS图像传感器的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造CMOS图像传感器的方法，通过防止金属衬垫受到污染而不对微透镜造成损坏来改进器件特性，包括以下步骤：在包括至少一个感光器件和至少一个金属衬垫的半导体衬底上形成器件保护层，所述至少一个金属衬垫布置于与所述至少一个感光器件相对应的逻辑电路区中，所述器件保护层覆盖所述至少一个金属衬垫；对应于所述至少一个感光器件，在所述器件保护层上顺序地形成第一平面层、滤色器层、以及第二平面层中的每一层；在所述第二平面层上形成用于微透镜形成的材料层；通过选择性地蚀刻所述器件保护层来暴露所述金属衬垫的预定部分；以及在暴露步骤之后，通过回流用于微透镜形成的所述材料层，形成用于引导光至所述至少一个感光器件上的微透镜。 | ||
| 申请公布号 | CN100350595C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200510085123.0 | 申请日期 | 2005.07.20 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 金洙坤 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：在包括至少一个感光器件和至少一个金属衬垫的半导体衬底上形成器件保护层，所述至少一个金属衬垫布置于与所述至少一个感光器件相对应的逻辑电路区中，所述器件保护层覆盖所述至少一个金属衬垫；对应于所述至少一个感光器件，在所述器件保护层上顺序形成第一平面层、滤色器层、以及第二平面层中的每一层；以所述器件保护层覆盖所述至少一个金属衬垫的状态在所述第二平面层上形成用于微透镜形成的材料层；在形成所述材料层之后，通过选择性地蚀刻所述器件保护层来暴露所述金属衬垫的预定部分；以及在所述暴露步骤之后，通过回流用于微透镜形成的材料层，形成微透镜，所述微透镜用于将入射光引导到所述至少一个感光器件上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||