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发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Diode mit flaechenhaftem pn-UEbergang
摘要
申请公布号 DE1157708(B) 申请公布日期 1963.11.21
申请号 DE1953S032748 申请日期 1953.03.24
申请人 SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 HENKER DR. HEINZ;DORENDORF DIPL.-PHYS. DR. HEINZ;KERKHOFF DIPL.-PHYS. DR. FRANZ
分类号 C30B17/00;H01L21/00 主分类号 C30B17/00
代理机构 代理人
主权项
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