| 发明名称 | 分割半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 分割半导体晶片的方法，包括：用于管芯键合的键合膜粘附于半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带至背面粘附有键合膜的半导体晶片键合膜一侧上的可延伸保护性粘附带粘贴步骤；沿间隔通过施加激光束把粘贴了可延伸保护性粘附带的半导体晶片分割成单个半导体芯片的分割步骤；通过拉伸可延伸保护性粘附带以对键合膜产生拉力，划分开每个半导体芯片的键合膜的键合膜划分开步骤；从可延伸保护性粘附带移除带有粘贴到半导体芯片并被划分开的键合膜的半导体芯片的半导体芯片移除步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN100350594C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200410035229.5 | 申请日期 | 2004.03.11 |
| 申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 川合章仁 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01);H01L21/304(2006.01);B28D5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 蔡民军 |
| 主权项 | 1、分割半导体晶片的方法，在半导体晶片的正面以网格方式形成多个间隔以及在半导体晶片正面的多个区域中形成电路，其中这些区域通过多个间隔隔开成单个半导体芯片，该方法包含：将用于管芯键合的键合膜粘附在半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带于背面粘附有键合膜的半导体晶片的键合膜一侧上的可延伸保护性粘附带粘贴步骤；从粘贴了可延伸保护性粘附带的半导体晶片的正面沿间隔施加激光束，把半导体晶片分割成单个半导体芯片的分割步骤；通过拉伸可延伸保护性粘附带以对键合膜产生拉力来划分开每个半导体芯片的键合膜的键合膜划分开步骤；以及从可延伸保护性粘附带移除带有粘贴到半导体芯片并被划分开的键合膜的半导体芯片的半导体芯片移除步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||