发明名称 高密度硬盘磁头
摘要 本实用新型公开了一种新型高密度硬盘磁头,其特征在于:基片(1)上镀有绝缘层(2),绝缘层上镀有读头基底层(5)和永磁体基底层(9),读头基底层上镀有自由层(6),自由层上镀有分隔层(7),分隔层上镀有自由层(8),自由层上镀有读头保护层(11),永磁体基底层上镀有永磁体层(10),永磁体层的磁场方向使两自由层的磁矩处于平行状态,永磁体层和读头保护层上镀有绝缘层(13),绝缘层上镀有第二辅助磁芯层(14),第二辅助磁芯层上镀有绝缘层(15),绝缘层上镀有主写磁芯层(16),主写磁芯层上镀有反铁磁层(17),反铁磁层上镀有铁磁层(18),铁磁层上镀有第一辅助磁芯层(20)。
申请公布号 CN200979796Y 申请公布日期 2007.11.21
申请号 CN200620036588.7 申请日期 2006.12.08
申请人 侯春洪 发明人 侯春洪
分类号 G11B5/127(2006.01) 主分类号 G11B5/127(2006.01)
代理机构 南充三新专利代理有限责任公司 代理人 刘东;黎仲
主权项 1、一种新型高密度硬盘磁头由基片(1),绝缘层(2),自由层(6、8),分隔层(7),永磁体层(10),读头保护层(11),第一辅助磁芯层(20),第二辅助磁芯层(14),主写磁芯层(16)等组成,其特征在于:基片(1)上镀有绝缘层(2),绝缘层上镀有读头基底层(5)和永磁体基底层(9),读头基底层上镀有自由层(6),自由层(6)上镀有分隔层(7),分隔层(7)上镀有自由层(8),自由层(8)上镀有读头保护层(11),每层自由层也可以由多层构成,永磁体基底层上镀有永磁体层(10),永磁体层的磁场方向使两自由层的磁矩在静态时处于相互平行状态,永磁体层和读头保护层上镀有绝缘层(13),绝缘层上镀有第二辅助磁芯层(14),第二辅助磁芯层上镀有绝缘层(15),绝缘层上镀有主写磁芯层(16),主写磁芯层上镀有反铁磁层(17),反铁磁层上镀有铁磁层(18),铁磁层上镀有第一辅助磁芯层。
地址 637000四川省南充市人民西路16号