表面改性的聚酰胺薄膜及其制造方法

摘要

本发明提供表面改性的聚酰胺薄膜及其制造方法。所述方法在进行聚酰胺薄膜的表面改性时，可以简便、难以产生静电障碍、且没有微小的处理斑地对薄膜整体进行均匀的电晕放电处理。所述聚酰胺薄膜在其宽度方向以10cm间隔取测定点，以前述测定点为中心，在聚酰胺薄膜的宽度方向以2mm间隔、用10点的测定点测定聚酰胺薄膜的相对于水的接触角，将此时的最大值设定为θ1max，将最小值设定为θ1min，将平均值设定为θ1av，而且，当将全部的测定点中的θ1av的最大值设定为θ2max、将最小值设定为θ2min时，在全部的测定点中满足下面的(式1)及(式2)，并且，满足下面的(式3)。θ1max－θ1min≤5deg. (式1)；45deg.≤θ1av≤55deg. (式2)；θ2max－θ2min≤5deg. (式3)

主权项

1.一种表面改性的聚酰胺薄膜，其特征在于，在聚酰胺薄膜的宽度方向以10cm间隔取测定点，以所述测定点为中心，在所述聚酰胺薄膜的宽度方向以2mm间隔、用10点的测定点测定所述聚酰胺薄膜的相对于水的接触角，将此时的最大值设定为θ1max，将最小值设定为θ1min，将平均值设定为θ1av，而且，当将全部的测定点中的θ1av的最大值设定为θ2max、将最小值设定为θ2min时，在全部的测定点中满足下面的式1及式2，并且，满足下面的式3：θ1max-θ1min≤5deg. 式145deg.≤θ1av≤55deg. 式2θ2max-θ2min≤5deg. 式3。