| 发明名称 | 化合物半导体衬底及其检测方法和表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。 | ||
| 申请公布号 | CN101075570A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710104113.6 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 西浦隆幸;田中聪;堀江裕介;冲田恭子;冈本贵敏 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体衬底的表面的检测方法，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||