发明名称 固体电解电容器的制造方法
摘要 是一种能与半导体部件直接连接并在高频特性上优良的大容量的固体电解电容器的制造方法,包括:使阀金属片(2)多孔质化并在已多孔质化的表面(3)上形成电解体被膜(7)的电介体形成工序、在上述电介体被膜上形成固体电解质层(8)和集电体层(10)的元件形成工序和形成与外部电极的连接端子(16)的端子形成工序,上述元件形成工序包括:在上述电介体被膜(7)上形成固体电解质层(8)的电解质层形成工序、在上述阀金属片(2)上已形成的通孔(5)中形成通孔电极(9)的通孔电极形成工序、和在上述固体电解质层(8)上形成集电体层(10)的集电体层形成工序。
申请公布号 CN100350525C 申请公布日期 2007.11.21
申请号 CN02802860.0 申请日期 2002.08.30
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 藤井达雄;中野慎;御堂勇治;三木胜政;木村凉
分类号 H01G9/04(2006.01);H01G9/012(2006.01);H01G9/00(2006.01) 主分类号 H01G9/04(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李宗明;杨梧
主权项 1、一种固体电解电容器的制造方法,包括:使阀金属片多孔质化并在已多孔质化的表面上形成电介体被膜的介电质形成工序、在上述电介体被膜上形成固体电解质层和集电体层的元件形成工序和形成与外部电极的连接端子的端子形成工序;上述电介体形成工序依次包括:通过腐蚀阀金属片的单面制成多孔质化部的多孔质化工序、在上述已多孔质化的面上形成第一抗蚀膜的工序、在上述已多孔质化的面的规定位置上形成通孔的工序、在上述阀金属片未进行多孔质化的另一面和上述通孔的内壁上形成绝缘膜的工序、在除去第一抗蚀膜后在已多孔质化的部分上形成电介体被膜的工序,上述元件形成工序包括:在上述电介体被膜上形成固体电解质层的电解质层形成工序、在上述通孔内形成通孔电极的通孔电极形成工序、在上述固体电解质层上形成集电体层的集电体层形成工序,上述端子形成工序包括:在上述阀金属片的另一面的绝缘膜的规定位置上形成开口部的工序、在上述开口部和上述通孔电极的表面上形成连接端的工序。
地址 日本大阪府