| 发明名称 | 形成布线图案的方法和使用其制造TFT基板的方法 | ||
| 摘要 | 形成布线图案的方法包括在绝缘基板上形成第一导电膜图案、绝缘膜和与第一导电膜图案交叉的第二导电膜图案。在该方法中，通过使用丝网印刷方法形成用于形成第二导电膜图案的防蚀涂层图案。之后，在其硬化之前，通过将防蚀涂层暴露在有机溶剂环境中来软化防蚀涂层。这样，可以修复在防蚀涂层中的如空隙的缺陷。通过使用上述的形成布线图案的方法，制造TFT基板。 | ||
| 申请公布号 | CN100350593C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200510088507.8 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | NEC液晶技术株式会社 | 发明人 | 山本勇司 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/13(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种形成布线图案的方法，包括：在绝缘基板上形成由第一导电膜制成的第一导电膜图案；和在第一导电膜上形成由第二导电膜制成的第二导电膜图案，该第二导电膜图案与第一导电膜图案交叉，且它们之间夹有绝缘膜，其中形成第二导电膜图案包括在具有形成于其上的第一导电膜图案的绝缘基板的整个表面上形成覆盖第一导电膜图案的绝缘膜，在绝缘膜上形成第二导电膜，在第二导电膜上通过使用丝网印刷方法形成与第一导电膜图案交叉的抗蚀剂图案，在干燥该抗蚀剂图案之后软化该抗蚀剂图案，硬化该抗蚀剂图案，以及通过使用该抗蚀剂图案作为掩模蚀刻并构图第二导电膜，来形成与第一导电膜图案交叉的第二导电膜图案。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||