| 发明名称 | 在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法 | ||
| 摘要 | 该CVD方法是在被处理基板(W)上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板(W)装入处理容器(8)内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板(W)供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板(W)上堆积硅氮化膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100350574C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200480000830.9 | 申请日期 | 2004.01.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 加藤寿;织户康一;菊地宏之;真久眞吾 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | H01L21/318(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳;王雪燕 |
| 主权项 | 1.一种在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法，其特征在于，包括：将所述基板装入处理容器内，加热至处理温度的工序；和对被加热至所述处理温度的所述基板供给含有六乙氨基二硅烷气体和氨气体的处理气体，在所述基板上堆积硅氮化膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||