发明名称 复合半导体光催化剂ZnO和ZnS的原位合成及其同步负载方法
摘要 本发明提供了一种复合半导体光催化剂ZnO和ZnS的原位合成及其同步负载方法,包括Nafion膜的预处理,其特征在于:通过离子交换将Zn2+引入已经预处理好的Nafion膜中,然后将Nafion膜浸入硫化钠水溶液中,室温反应一段时间后取出,形成ZnO和ZnS复合半导体光催化剂。本发明方法极大的简化了光催化剂合成负载工艺,有工业推广应用意义。利用本发明制备的复合半导体光催化剂ZnO/ZnS能高效地进行光催化反应,具有很好的活性稳定性,液相反应体系中可以方便地进行分离处理,光催化剂再生能力强,重复利用效率高,具有很高的实用价值和应用前景。
申请公布号 CN101073775A 申请公布日期 2007.11.21
申请号 CN200710009146.2 申请日期 2007.06.26
申请人 福州大学 发明人 付贤智;王建春;刘平;戴文新;员汝胜;郑华荣
分类号 B01J27/04(2006.01);B01J23/06(2006.01);B01J31/06(2006.01);B01J37/30(2006.01) 主分类号 B01J27/04(2006.01)
代理机构 福州元创专利代理有限公司 代理人 蔡学俊
主权项 1.一种复合半导体光催化剂ZnO和ZnS的原位合成及其同步负载方法,包括Nafion膜的预处理,其特征在于:通过离子交换将Zn2+引入已经预处理好的Nafion膜中,然后将Nafion膜浸入硫化钠水溶液中,室温反应一段时间后取出,形成ZnO和ZnS复合半导体光催化剂。
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