发明名称 | 一种复合型的场效应晶体管结构 | ||
摘要 | 本实用新型揭示了一种复合型的场效应晶体管结构,它包括:横向双扩散N型金属氧化物场效应管(NLDMOS)和N型结型场效应管(NJFET)。其中,将N型外延(102)内的N+扩散层(112)形成所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏区,并且将所述N型外延(102)的所述N+扩散层(112)形成连接电极作为所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏极。采用本实用新型所述的结构,可有效降低芯片面积,不仅能提供NLDMOS的栅极初始电压,还可有效关断NLDMOS,从而极大地降低功耗。 | ||
申请公布号 | CN200979884Y | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
申请号 | CN200620159594.1 | 申请日期 | 2006.11.24 |
申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 发明人 | 姚云龙;吴建兴;张邵华 |
分类号 | H01L27/06(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李家麟;王勇 |
主权项 | 1.一种场效应晶体管结构,其特征在于,它包含:横向双扩散金属氧化物场效应管(LDMOS)和结型场效应管(JFET)。 | ||
地址 | 310000浙江省杭州市黄姑山路4号 |