发明名称 用于存储器装置的时钟产生器
摘要 一种用于存储器装置的时钟产生器,该时钟产生器电路中,通过一电流镜产生一电流供给一电荷泵,其通过一温度相关电流调整MOSFET控制,该MOSFET具有一随温度变化的临界电压。当温度变化时,通过该温度相关电流调整MOSFET的电流亦变化,从而控制该时钟产生器电路的频率。该MOSFET可被提供一与温度无关的电源供应器,使得该温度相关电流调整MOSFET的电流更紧密地被控制。
申请公布号 CN100350505C 申请公布日期 2007.11.21
申请号 CN03146371.1 申请日期 2003.07.10
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 郭乃萍;罗思觉;谢文义;林永丰
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 王占梅
主权项 1、一种用于存储器装置的时钟产生器,其特征是包括:一电阻;一MOSFET,具有一控制极、一漏极及一源极,该源极连接该电阻,以产生一参考电流;一与电源电压及温度无关的第一参考电压,连接该控制极,以控制该MOSFET;一电流镜电路,连接该漏极,通过镜射该参考电流以产生一第一及第二镜电流;一第一电容,接收该第一镜电流及产生一第一充电电压;一第二电容,接收该第二镜电流及产生一第二充电电压;一第二参考电压,从一输入供应电压产生,连接该电流镜电路,以控制该第一镜电流与该第一电容之间的连接,以及该第二镜电流与该第二电容之间的连接,以控制该第一及第二充电电压;以及一逻辑电路,接收该第一及第二充电电压并且产生一时脉信号。
地址 台湾省新竹科学工业园区