形成半导体装置的金属线的方法

摘要

本发明涉及一种形成半导体装置的金属线的方法，包括下列步骤：通过执行一主蚀刻制造工艺及一过度蚀刻制造工艺以形成一连接至一下层元件的金属线，同时形成一金属熔丝(metal fuse)，该金属熔丝的一端连接至该金属线且另一端连接至半导体基板；以及通过执行一过度蚀刻制造工艺来形成该半导体装置的该金属线，以使该金属线与该金属熔丝电绝缘。在形成该金属线的过度蚀刻制造工艺期间因等离子体所感生的电荷会累积在该金属线中。根据本发明，由于会通过该金属熔丝将该金属线中所累积的等离子体感生的电荷放电至该半导体基板中，因而能够使该下层元件损坏降至最低限度。

主权项

1.一种形成半导体装置的金属线的方法，包括下列步骤：制备一半导体基板，该半导体基板包括位于一金属线区的一下层元件以及一形成在该下层元件上的层间绝缘膜；通过蚀刻该层间绝缘膜的一部份，形成一金属线接触孔，以及形成位于一金属熔丝区的一金属熔丝接触孔，其中下层元件的一部分通过金属线接触孔露出，和半导体基板的一部分通过金属熔丝接触孔露出；通过使用导电材料填满该金属线接触孔及该金属熔丝接触孔，以便分别形成一金属线插塞及一金属熔丝插塞；在包括该金属线插塞及该金属熔丝插塞的该层间绝缘膜上形成一金属层；在金属线区和金属熔丝区的所述金属层上形成光致抗蚀剂图案，其中在金属线区和金属熔丝区之间形成多个窄间隔；通过利用该光致抗蚀剂图案作为掩模的主蚀刻工艺和过度蚀刻工艺来蚀刻金属层从而露出所述层间绝缘膜并展示出蚀刻负载效应，其中所述金属层的一部分保留在金属线区与金属熔丝区之间的间隔中；以及执行金属熔丝过度蚀刻工艺以去除留在金属线区与金属熔丝区之间的间隔中的金属层，从而形成金属线图案和金属熔丝图案。