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TRANSISTOR é descrito um transistor de efeito de campo que compreende um amortecimento e camada de canal formados sucessivamente em um substrato. Um eletrodo da fonte, eletrodo de dreno e porta são todos formados em contato elétrico com a camada de canal, com a porta entre os eletrodos de fonte e de dreno. Uma camada espaçadora é formada em pelo menos uma parte de uma superfície da camada de canal entre a porta e o eletrodo de dreno, e a placa de campo é formada na camada espaçadora isolada da porta e da camada de canal. A camada espaçadora é conectada eletricamente por pelo menos um trajeto condutivo no eletrodo de fonte, em que a placa de campo reduz o campo elétrico operacional de pico no MESFET.
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