| 发明名称 |
Verfahren zum Dotieren von halbleitendem Germanium oder Silizium mit Schwefel |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1160548(B) |
申请公布日期 |
1964.01.02 |
| 申请号 |
DE1957S056305 |
申请日期 |
1957.12.18 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
GUTSCHE DR. PHIL. NAT. HEINRICH;SCHINK DR. PHIL. NAT. NORBERT |
| 分类号 |
C30B13/00;C30B13/12;H01L21/00 |
主分类号 |
C30B13/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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