磁性记忆体装置

摘要

一种磁性记忆体装置，包含：具有铁磁自由层的磁性穿隧接面(MTJ)，并且显现出较高电阻之第一状态和较低电阻之第二状态。为了写入磁性记忆体装置，将电流IMTJ(125)驱动经过MTJ。就第一持续期间而言，电流等于DC临界电流，该DC临界电流是在第一状态和第二状态之间转换多层结构所需的DC电流。此在自由层中感生C形磁畴结构。就第二持续期间而言，电流IMTJ大于DC临界电流。此造成MTJ转换状态。造成转换所需的电流低于使用均一电流脉冲所需的电流(127)。