于半导体装置制造精细图案之方法

摘要

于半导体装置形成精细图案的方法包括：在蚀刻目标层上方形成第一聚合物层，该第一聚合物层包括富碳(carbon-rich)聚合物层；在该第一聚合物层上方形成第二聚合物层，该第二聚合物层包括富矽(silicon-rich)聚合物层；图案化该第二聚合物层；使该已图案化之第二聚合物层的表面氧化；利用包括该已氧化之表面的该已图案化之第二聚合物层来蚀刻该第一聚合物层；以及利用包括该已氧化之表面的该已图案化之第二聚合物层和该已蚀刻之第一聚合物层来蚀刻该蚀刻目标层。