发明名称 封装之凸块下金属层结构及其方法
摘要 本发明揭露一种凸块下金属层结构,其包含一具有接触垫置于其上之晶片。具有一开口之介电层形成在此晶片上。一阻障层形成在此开口内,而一多层金属层于此阻障层上。阻障层以及/或多层金属层具有一延长部,形成于介电层之开口外与在介电层之上延伸。
申请公布号 TW200743197 申请公布日期 2007.11.16
申请号 TW095117168 申请日期 2006.05.15
申请人 育霈科技股份有限公司 发明人 杨文焜
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 林静文
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路65号