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发明名称
封装之凸块下金属层结构及其方法
摘要
本发明揭露一种凸块下金属层结构,其包含一具有接触垫置于其上之晶片。具有一开口之介电层形成在此晶片上。一阻障层形成在此开口内,而一多层金属层于此阻障层上。阻障层以及/或多层金属层具有一延长部,形成于介电层之开口外与在介电层之上延伸。
申请公布号
TW200743197
申请公布日期
2007.11.16
申请号
TW095117168
申请日期
2006.05.15
申请人
育霈科技股份有限公司
发明人
杨文焜
分类号
H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
林静文
主权项
地址
新竹县湖口乡新竹工业区光复北路65号
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