| 摘要 |
本发明之课题为，能以C5Cl8为原料、以连续制程来制造可于VISI或是ULSI所使用之高纯度C5F8乾蚀刻气体。本发明之解决手段为，一种半导体制造用乾蚀刻气体之制造方法，系使得八氯环戊烯与KF反应来制造八氟环戊烯；其中，以下述第1制程与第2制程为连续制程来制造C5F8 99.995体积％以上、氮气50体积ppm以下、氧气5体积ppm以下、水分5重量ppm以下、金属成分5重量ppb以下之半导体制造用乾蚀刻气体；第1制程系于使得八氯环戊烯与KF反应之反应器内部，将填充有KF之过滤器2机并联，使得过滤器与反应器之间的阀交替开闭来使得该过滤器内之KF与八氯环戊烯交替接触反应，藉此将八氯环戊烯与KF之反应保持在连续反应，以连续制程得到八氟环戊烯含量50~80体积％之粗八氟环戊烯；第2制程系将以该第1制程所得之粗八氟环戊烯，以低沸物蒸馏塔将沸点较粗八氟环戊烯中之八氟环戊烯来得低之低沸物有机物利用分馏方法来去除，而将此处所得之反应物以高沸物蒸馏塔做分馏来将八氟环戊烯以气体状回收，将金属成分与沸点较八氟环戊烯来得高之高沸物分离，而得到高纯度八氟环戊烯。 |
