| 摘要 |
本发明主要提出一种在标准CMOS制程中最佳化射频变压器的方法。一般评估一个变压器通常是看它的最小功率消耗(Lmin)，其理想值为0(或最大功率增益GAmax=1-Lmin，其理想值为1)，而最大转移功(GAmax)与下述四参数有关：Q1(主线圈品质因素)、Q2(次线圈品质素)、KRe(互电阻耦合因子)及KIm(互电抗耦合因子)。本发明主要利用电浆诱导式蚀刻技(Inductively-coupling-plasma deep trenchtechnology, ICP)蚀刻变压器基板，降低基板因为高频涡流所耦合的欧姆阻抗、提升Q1、Q2。另外在变压器底部使用部分图案接地屏蔽层(Partial Patterned Ground Shields, PPGS)，缓和因为ICP蚀刻基板所降低的KRE。并用这两种技术大幅提升变压器性能，使其能应用在高效能指标的射频积体电路之中。 |
