发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Chrom-Kontakten für Vakuumschalter und zugehörige Schaltkontakte |
摘要 |
Aufgrund der Mischungslücke im Zustandsdiagramm Kupfer-Chrom können homogene Legierungen allenfalls durch schnelles Unterkühlen von bei hohen Temperaturen erschmolzenen Legierungen erzeugt werden. Für die Weiterverarbeitung zu Kontakten ergibt sich damit ein hoher Aufwand. Erfindungsgemäß werden Kupfer-Chrom-Kontakte für Vakuumschalter dadurch hergestellt, dass als Ausgangsmaterial für die Kontakte ein dünnes Kupfer-Chrom-Blech nach einem Gieß- oder Sprühverfahren mit nachfolgender rascher Abkühlung erzeugt wird. Durch geeignete Prozessführung bei der Herstellung lassen sich im Band (50) senkrecht zur Bandrichtung Konzentrationsprofile einstellen, da insbesondere das Chrom in Form von Cr-Partikeln bzw. Tröpfchen (Cr) an die Oberfläche diffuniert.
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申请公布号 |
DE102006021772(A1) |
申请公布日期 |
2007.11.15 |
申请号 |
DE200610021772 |
申请日期 |
2006.05.10 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
HARTMANN, WERNER;STELZER, ANDREAS;RANZ, ROMAN |
分类号 |
H01H33/664;H01H1/02 |
主分类号 |
H01H33/664 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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