Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang,申请号CH19570047192-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang
摘要
申请公布号	CH374868(A)	申请公布日期	1964.01.31
申请号	CH19570047192	申请日期	1957.06.12
申请人	SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	DR. SCHINK,NORBERT,DIPL.-CHEM.
分类号	C25D11/32;C25F3/12;C25F3/30;C25F7/00;H01L21/00;H01L21/288;H01L21/3063;H01L23/29	主分类号	C25D11/32
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