Verfahren zum Herstellen einer asymmetrischen nichtflüchtigen Speicherzelle, deren Floating-Gate mit einer scharfen Kante durch kleine, in-situ dotierte Polysilizium-Spacer versehen ist
摘要
申请公布号
DE60316641(D1)
申请公布日期
2007.11.15
申请号
DE20036016641
申请日期
2003.08.20
申请人
CHARTERED SEMICONDUCTOR MFG. PTE. LTD.
发明人
CHEW, HOE ANG;ENG, HUA LIM;CHER LIANG CHA, RANDALL;ZHENG, JIA ZHEN;QUEK, ELGIN;ZHOU, MEI SHENG;YEN, DANIEL