铁电存储器用铁电薄膜电容

摘要

本实用新型公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容，该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为10～30nm；下电极金属层的厚度为100nm～200nm；下缓冲层的厚度为5～20nm；铁电薄膜层的厚度为200nm～500nm；上缓冲层的厚度为100nm～200nm；上电极金属层的厚度为80nm～150nm；下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料，铁电薄膜层的材料为掺Ta的PZT。本实用新型铁电薄膜电容疲劳速率小，漏电流较小。

主权项

1.一种铁电存储器用铁电薄膜电容，其特征在于：依次由硅基底(1)、二氧化硅阻挡层(2)、二氧化钛粘结层(3)、下电极金属层(4)、下缓冲层(5)、铁电薄膜层(6)、上缓冲层(7)、上电极金属层(8)组成；二氧化钛粘结层(3)的厚度为10～30nm；下电极金属层(4)的厚度为100nm～200nm；下缓冲层(5)的厚度为5～20nm；铁电薄膜层(6)的厚度为200nm～500nm；上缓冲层(7)的厚度为100nm～200nm；上电极金属层(8)的厚度为80nm～150nm；下缓冲层(5)、上缓冲层(7)的材料为LSMO超大磁电阻材料，铁电薄膜层(6)的材料为掺Ta的PZT。