在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法

摘要

一种在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法。形成一第一硬遮罩于一半导体基底上，执行一热氧化步骤，以形成复数个区域场氧化物于此半导体基底被暴露的部份。移除第一硬遮罩，及形成一第二硬遮罩于此些区域场氧化物及此半导体基底上，执行一等向性蚀刻步骤，以蚀刻被暴露的区域场氧化物及半导体基底。移除第二硬遮罩及位于其下方的区域场氧化物，以形成复数个渠沟于半导体基底中。形成一扩散埋层于半导体基底中环绕此些渠沟。

主权项

1.一种在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法，其包括：提供一具第一导电性的半导体基底；形成一第一介电层于该半导体基底上；图案蚀刻该第一介电层，以形成一第一硬遮罩；执行一热氧化步骤，以形成复数个区域场氧化物于该半导体基底被暴露的部份；移除经图案蚀刻的该第一介电层；形成一第二介电层于该等区域场氧化物及该半导体基底上；图案蚀刻该第二介电层，以形成一第二硬遮罩；执行一等向性蚀刻步骤，以蚀刻被暴露的该等区域场氧化物及该半导体基底；移除经图案蚀刻的该第二介电层及位于其下方的该等区域场氧化物，以形成复数个渠沟于该半导体基底中；及形成具有一第二导电性的一扩散埋层环绕该等渠沟，其中该第二导电性电性相反于该第一导电性。