发明名称 一种P-Si中间合金及其制备方法
摘要 本发明涉及一种用于细化Al-Si合金中初晶硅和Mg-Si合金中Mg<SUB>2</SUB>Si的P-Si中间合金及其制备方法。该中间合金的化学组成为(wt%):硅40.0-70.0,磷8.0-25.0,余为镍、锰中的至少一种。制备步骤是:在高温熔炼炉中将纯硅与纯镍或纯锰中的至少一种合金原料熔化,在氩气或氮气保护的低温保温炉中将赤磷加热至450-520℃左右,通过输磷管将磷蒸气连通到硅合金熔体底部,并搅拌合金熔体,促使磷溶解于该熔体中。然后,直接浇注成锭或雾化制粉。该中间合金具有密度小、熔点低和使用时细化效果好等优点。
申请公布号 CN100348761C 申请公布日期 2007.11.14
申请号 CN200610042395.7 申请日期 2006.02.17
申请人 刘相法 发明人 刘相法;刘相俊;刘相义
分类号 C22C30/00(2006.01);C22C19/00(2006.01);C22C22/00(2006.01);C22C1/03(2006.01) 主分类号 C22C30/00(2006.01)
代理机构 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人 周慰曾
主权项 1.一种P-Si中间合金,包含硅、磷元素,其特征是它还含有镍、锰元素中的至少一种,各组分的质量百分比为:硅40.0-70.0%,磷8.0-25.0%,余为镍、锰中的至少一种。
地址 250061山东省济南市历下区经十路73号