发明名称 六硼化铕纳米线、纳米管及其制备方法
摘要 本发明公开了六硼化铕纳米线、纳米管及其制备方法。该方法是先将放有铕源的单晶硅片衬底放入管式电炉的石英管中部,密封石英管,同时对石英管预抽真空,然后通入保护和还原气体,再将电炉加热到930-1110℃,然后通入硼源,同时调节保护和还原性气体,保持15-60分钟;在保护气体和还原性气体的混合气气氛下降温,直至冷却至室温;硼源为BCl<SUB>3</SUB>;还原性气体为H<SUB>2</SUB>气,保护气体为Ar气。本发明首次制备出六硼化铕纳米线和纳米管,试验过程简单,易于操作,便于工业化生产。制备的纳米线可作为冷阴极电子源,应用于场致电子发射平板显示器,冷阴极发光管,冷阴极光源等。
申请公布号 CN100348483C 申请公布日期 2007.11.14
申请号 CN200610035611.5 申请日期 2006.05.26
申请人 华南理工大学 发明人 赵彦明;许;邹春云;丁琪玮
分类号 C01B35/04(2006.01);C01F17/00(2006.01) 主分类号 C01B35/04(2006.01)
代理机构 广州粤高专利代理有限公司 代理人 何淑珍
主权项 1、一种六硼化铕的纳米线和纳米管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤和工艺条件:(1)将放有0.1-0.5g铕源的单晶硅片衬底放入管式电炉的石英管中部,密封石英管,同时对石英管预抽真空,然后通入保护和还原气体,其流速为10-100sccm;(2)将步骤(1)的管式电炉加热到930-1110℃,然后通入硼源,其流速为10-100 sccm;同时调节保护和还原性气体流速为20-200sccm;保持15-60分钟;(3)在保护气体和还原性气体的混合气气氛下降温,直至冷却至室温;(4)取出单晶硅片衬底,在蒸馏水中浸泡,再烘干,得衬底上物质即为六硼化铕的纳米线、纳米管;所述硼源为BCl3;所述步骤(1)、(2)和(3)中的还原性气体为H2气,保护气体为Ar气,还原性气体与保护气体体积比为0.1-10∶1。
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