采用整合测量以增进介电质蚀刻效率的方法和设备

摘要

本发明提供一种处理半导体晶圆的方法与设备，以缩减尺寸变动，它是在晶圆上多个点测量光阻罩幕CD与轮廓及光阻层的下一层的厚度并反馈此类信息，以调整下一欲处理的已检测晶圆的制程(如蚀刻制程)。在此处理步骤后，制程所形成的结构尺寸，诸如沟槽的CD与深度，是在晶圆多个点上测量，并将此信息回馈至处理工具，以调整用于下一晶圆的制程，进一步缩减尺寸变动。在部分实施例中，CD、轮廓、厚度与深度测量值、蚀刻处理与后蚀刻清洗是在一受控环境的单一模块下实施。此模块所实施的所有传送与处理步骤是在一干净环境下进行，借此避免暴露晶圆于大气并避免步骤间可能的污染，以增加良率。

主权项

1.一种处理一半导体晶圆的方法，其至少包含下列步骤：(a)在该晶圆上多个不同预定位置，测量形成于该晶圆上一图案层的下一层的厚度；(b)在该多个不同预定位置，测量形成于该图案层的下一层上一图案层的图案的尺寸；(c)以该尺寸与厚度的测量值为基础，选择一第一组制程参数值，以用于欲实施于该晶圆上的一制程；(d)使用该第一组制程参数值，在一处理工具实施该制程于晶圆上；及(e)在该预定位置，测量通过该制程形成于该图案层的下一层内的结构的尺寸。