| 发明名称 | 形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 形成半导体器件的方法可包括利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在基底上形成第一导电金属化合物层和/或利用物理气相沉积(PVD)工艺在第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层。可形成第一导电金属化合物层和第二导电金属化合物层来减少或防止第一导电金属化合物层暴露于氧原子中，因此降低了第一导电金属化合物层的退化。 | ||
| 申请公布号 | CN101071769A | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN200710102284.5 | 申请日期 | 2007.05.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金柱然;元皙俊;金洛焕;宋珉宇;金元洪;朴廷珉 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/283(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;常桂珍 |
| 主权项 | 1、形成半导体器件的方法，包括：利用金属有机化学气相沉积工艺在基底上形成第一导电金属化合物层；利用物理气相沉积工艺在所述第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层，其中，在从形成所述第一导电金属化合物层到形成所述第二导电金属化合物层的整个过程中，将所述第一导电金属化合物层和所述第二导电金属化合物层保持在低于大气压的压力下。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||