以有源电感为负载的CMOS宽带低噪声放大器

摘要

本实用新型公开了一种以有源电感为负载的CMOS宽带低噪声放大器，包括MOS管(M1－M11)，其中PMOS管(M3和M4)，NMOS管(M1、M2、M5、M6和M7)构成有源电感，NMOS管(M9、M11、M8和10)，电容(C2)和阻感(RL)构成低噪声放大器。本实用新型基于数字CMOS工艺，电路采用共栅结构，以优化设计的级联型有源电感为负载，完全省去了片上电感，又具有较为理想的性能参数。

主权项

1、一种以有源电感为负载的CMOS宽带低噪声放大器，其特征在于：有源电感部分包括PMOS管(M3和M4)，NMOS管(M1、M2、M5、M6和M7)，所述MOS管(M7)的栅极为有源电感部分的输入端，源极与MOS管(M5)的漏极和MOS管(M2)的源极连接至一点，MOS管(M7)的漏极接至MOS管(M1)的源极；所述(M3)的栅极和所述MOS管(M4)的栅极共同连至V3端，MOS管(M3)的漏极、MOS管(M4)的漏极及MOS管(M6)的漏极共同接至VDD，MOS管(M3)的源极接至MOS管(M2)的漏极，MOS管(M4)的源极接至MOS管(M1)的漏极；MOS管(M1)的栅极和MOS管(M2)的栅极共同连至V4；MOS管(M5)的栅极与V3相连，源极接地；MOS管(M6)的栅极接至MOS管(M4)的源极，MOS管(M6)的源极与MOS管(M7)的栅极相连；宽带放大器部分包括NMOS管(M9、M11、M8和M10)，电容(C2)和阻感(RL)，MOS管(M9)的栅极和MOS管(M11)的栅极共同连至V2，MOS管(M9)的源极和MOS管(M11)的源极接地，MOS管(M9)的漏极与MOS管(M8)的源极相连，MOS管(M11)的漏极与MOS管(M10)的的源极并接到电容(C2)的一端；所述MOS管(M8)的栅极与电容(V1)相连，MOS管(M8)的漏极接至所述MOS管(M10)的栅极；MOS管(M10)的漏极与VDD相连；电容(C2)的另一端经阻感(RL)接地。