发明名称 Semiconductor device, particularly solar cell and process for producing thereof
摘要 <p>Polovodicová soucástka (50), provedená zejména jako slunecní clánek, má minimálne z monokrystalickénebo polykrystalické struktury tvorený polovodicový základní materiál (40). Polovodicový základní materiál (40) je tvoren aspon cástecne z pyritu s chemickým složením FeS.sub.2.n., který je pro definovaný stupen cistoty vycisten. Polovodicový základní materiál (40) je složen velmi výhodne z minimálne jedné vrstvy (51) pyritu, minimálne jedné vrstvy (52) boru a minimálne jedné vrstvy (53) fosforu.S touto polovodicovou soucástkou se docílí optimální zpusob provedení zejména tehdy, když se použije jako slunecní clánek.</p>
申请公布号 CZ298589(B6) 申请公布日期 2007.11.14
申请号 CZ19990001504 申请日期 1998.10.23
申请人 发明人 LA VECCHIA NUNZIO
分类号 H01L21/365;H01L31/0288;H01L21/363;H01L21/368;H01L31/032;H01L31/04 主分类号 H01L21/365
代理机构 代理人
主权项
地址