| 发明名称 | 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学汽相淀积外延生长反向结的过程促使量子阱混杂区的镓空位向量子阱区扩散，实现量子混杂和带隙波长蓝移；(3)非混杂区在量子阱混杂的整个过程中受到很好的保护。本发明提出的掩埋异质结构光器件的量子阱混杂及制作方法可以广泛应用于各种需要带隙波长蓝移的器件的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN100349338C | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN200510011848.5 | 申请日期 | 2005.06.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 丁颖;王圩;潘教青;王宝军;陈娓兮 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 段成云 |
| 主权项 | 1.一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件制作方法，其步骤如下：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学汽相淀积外延生长反向结的过程促使量子阱混杂区的镓空位向量子阱区扩散，实现量子混杂和带隙波长蓝移；(3)非混杂区的表面留有铟磷层，非混杂区在量子阱混杂和带隙波长蓝移的整个过程中受到很好的保护。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||