| 发明名称 | GaN晶体衬底 | ||
| 摘要 | 一种GaN晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)。晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及后面表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及该表面粗糙度Ra(R)与表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C)至少是50。因此，可以在而不损害GaN晶体衬底上生长的半导体层的形态条件下，提供其中可区分其前和后表面的GaN晶体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101070619A | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN200710092177.9 | 申请日期 | 2007.04.02 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 藤田俊介;笠井仁 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种GaN晶体衬底，具有：其上生长晶体的晶体生长表面(10c)；以及与所述晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)，其中所述晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及所述后表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及所述表面粗糙度Ra(R)与所述表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C) 至少是50。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||