非易失性存储器的多电平单元编程方法

摘要

本发明披露了一种改变氮化物存储器单元中多位单元内多电平单元编程顺序的方法，该方法可降低或消除编程步骤之间起始电压移动，且同时避免因互补位扰乱所引起读取窗持续时间的抑制。在第一实施例中，本发明依下列顺序编程具四位的多位单元内的多电平单元：编程一第三编程电平(电平Ⅲ)，编程一第一编程电平(电平Ⅰ)与一第二编程电平(电平Ⅱ)至电平Ⅰ，以及自第一编程电平对第二编程电平进行编程。在第二实施例中，本发明依下列顺序编程具四个位的多位单元内的多电平单元：编程一第三编程电平(电平Ⅲ)，编程一第二编程电平(电平Ⅱ)及编程一第一编程电平(电平Ⅰ)。

主权项

1.一种编程一四位氮化物捕获存储器单元中的一多位单元内的一多电平单元的方法，该方法包括：进行该氮化物存储器单元内的电平三的编程，其中该电平三的编程具有一第三起始电压电平；在该电平三编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编程，其中该电平二的编程具有第二起始电压电平；及在该电平二编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程，其中该电平一的编程具有第一起始电压电平；其中该第三起始电压电平高于该第二起始电压电平，且其中该第二起始电压电平高于该第一起始电压电平。