| 发明名称 | 背侧光感测装置以及形成背侧光感测装置的方法 | ||
| 摘要 | 一种背侧光感测装置，包括半导体基底，具有上表面与下表面，以及多个象素，形成于上表面。背侧光感测装置还包括多个吸收深度，形成于下表面，并且每个吸收深度根据每个象素排列。一种形成背侧光感测装置的方法包括提供具有上表面与下表面的半导体基底，并且在上表面形成第一象素、第二象素以及第三象素。上述方法还包括在下表面形成第一厚度、第二厚度以及第三厚度，其中第一厚度、第二厚度以及第三厚度分别位于第一象素、第二象素以及第三象素之下。 | ||
| 申请公布号 | CN101071819A | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN200710102430.4 | 申请日期 | 2007.05.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许慈轩;谢元智;杨敦年;喻中一 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邢雪红 |
| 主权项 | 1.一种背侧光感测装置，其特征在于，包括：半导体基底，具有上表面、下表面以及中间部分；以及多个象素，形成于上述半导体基底的上述上表面，其中上述中间部分具有多个不同的吸收深度，上述吸收深度形成于上述半导体基底的上述下表面，并且每个上述吸收深度根据每个上述象素排列。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||