处理装置及该处理装置内的颗粒除去方法

摘要

本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。

主权项

1.一种处理装置，包括：内部空间可被减压的减压容器、向所述减压容器的内部空间导入气体的气体导入装置、配设在所述减压容器的内部空间并处理该内部空间的被处理体的处理部，其特征在于：具有检测所述减压容器的内壁温度的第一检测装置、检测所述处理部的温度的第二检测装置、以及控制所述气体温度的第一控制装置，所述第一控制装置根据所述内壁温度与所述气体温度的温度梯度或所述处理部的温度与所述气体温度的温度梯度控制所述气体的温度，所述第一控制装置将所述气体的温度控制在比所述内壁温度或所述处理部的温度中的至少一个低30℃以上的温度。