双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法

摘要

一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；去掉最上面的磷化铟本征层，用SiO₂把激光器部分掩蔽，采用湿法腐蚀工艺刻出模斑转换器上脊形状；然后利用自对准工艺刻出下脊形状，该下脊形状包括下波导层、空间层；第二次生长p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；用SiO₂把模斑转换器部分掩蔽，重新刻出激光器部分的上、下脊形状，该上脊形状包括有源区、p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×500μm左右的管芯。

主权项

1.一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，其特征在于，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和厚度为30nm的磷化铟本征层，该磷化铟本征层可防止有源区的氧化；步骤2：去掉最上面的磷化铟本征层，用SiO2把激光器部分掩蔽，采用湿法腐蚀工艺刻出模斑转换器上脊形状；步骤3：然后利用自对准工艺刻出下脊形状，该下脊形状包括下波导层、空间层；步骤4：第二次生长p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤5：用SiO2把模斑转换器部分掩蔽，重新刻出激光器部分的上、下脊形状，该上脊形状包括有源区、p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤6：外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×500μm的管芯。