发明名称 | 闪存器件及其数据I/O操作方法 | ||
摘要 | 一种闪存器件,包括存储器单元阵列、输入缓冲器单元、输出驱动器单元、第一页缓冲器单元、第二页缓冲器单元、第一数据I/O单元和第二数据I/O单元。该存储器单元阵列包括两个或多个存储器排组。在该闪存器件的数据输入或输出操作期间,该第一数据I/O单元和该第二数据I/O单元以彼此间预定的时间间隔而交替地工作,并将输入数据传送至第一和第二页缓冲器单元,或者将读数据从第一和第二页缓冲器单元输出至外部器件。 | ||
申请公布号 | CN101071637A | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
申请号 | CN200610098800.7 | 申请日期 | 2006.07.14 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴镇寿 |
分类号 | G11C16/06(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
主权项 | 1.一种非易失性存储器件,包括:包括多个存储器排组的存储器单元阵列,所述多个存储器排组包括第一和第二存储器排组;输入缓冲器单元,其响应于芯片使能信号从外部器件接收第一输入数据或第二输入数据;第一页缓冲器单元,其接收所述第一输入数据,并将所述第一输入数据传送至所述第一存储器排组;以及第二页缓冲器单元,其接收所述第二输入数据,并将所述第二输入数据传送至所述第二存储器排组。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |