| 发明名称 |
用于紫外光二极管的单组分荧光粉 |
| 摘要 |
本发明系关于一种紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其系在半导体铟镓氮化物的异质结基础上制作而成，该异质结辐射光谱最大值从λ＝395～405nm的近紫外线光，其特征在于：一均匀浓度的发光转换涂层形成于该异质结辐射表面，且该发光转换涂层中填充有至少一单组分氮化物宽频带荧光粉，该荧光粉粉末完全吸收该异质结第一级辐射并辐射白光光致发光。此外，本发明还揭露一种无机荧光粉，其具有高热稳定性和很好的色度以及高效率的特点。 |
| 申请公布号 |
CN101070470A |
申请公布日期 |
2007.11.14 |
| 申请号 |
CN200710087231.0 |
申请日期 |
2007.03.22 |
| 申请人 |
罗维鸿 |
发明人 |
索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 |
| 分类号 |
C09K11/02(2006.01);H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
C09K11/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其系在半导体铟、镓氮化物的异质结基础上制作而成，该异质结辐射光谱最大值从λ＝395～405nm的近紫外线光，其特征在于：一均匀浓度的发光转换涂层形成于该异质结辐射表面，且该发光转换涂层中填充有至少一单组分氮化物宽频带荧光粉，该荧光粉粉末完全吸收该异质结的第一级辐射并辐射白光光致发光。 |
| 地址 |
200231上海市徐汇区华泾路1305弄18号B座1楼 |
