发明名称 改善非易失性存储器的数据保存的方法及装置
摘要 本发明公开了涉及非易失性存储器的数据保存的装置、方法及制造方法。在许多实施例中,除了使用标准参考电流之外再加上许多监控参考电流被用于确定是否需更新数据存储器。
申请公布号 CN101071646A 申请公布日期 2007.11.14
申请号 CN200710102189.5 申请日期 2007.04.29
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈重光
分类号 G11C16/34(2006.01);G11C16/26(2006.01) 主分类号 G11C16/34(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王英
主权项 1、一种非易失性存储集成电路,包括:非易失性存储单元,其包括:多个存储至少一些数据值的数据单元,所述数据值与低阈值电压及高阈值电压相关联;产生参考电流的参考电流电路,每一所述参考电流具有高检测区间以检测高阈值电压,以及具有低检测区间以检测低阈值电压,所述参考电流包括:标准参考电流,与具有第一高检测区间及第一低检测区间的第一工作区间相关联;第一监控参考电流,与第二工作区间相关联,所述第二工作区间具有比所述第一高检测区间更窄的第二高检测区间及比所述第一低检测区间更宽的第二低检测区间;以及第二监控参考电流,与第三工作区间相关联,所述第三工作区间具有比所述第一高检测区间更宽的第三高检测区间及比所述第一低检测区间更窄的第三低检测区间;一组或多组感测放大器电路利用所述标准参考电流来检测来自所述多个数据单元的存储电流,以产生第一结果,与以下两者的至少一个作比较:与利用所述第一监控参考电流以产生的第二结果,及与利用所述第二监控参考电流以产生的第三结果;以及比较逻辑,用于比较所述第一结果与来自感测放大器电路的所述第二结果及所述第三结果中的至少一个。
地址 中国台湾新竹科学工业园区