| 发明名称 | 带有射频加热的处理腔的化学气相沉积反应器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在至少一个基片，特别是结晶基片上沉积结晶涂层的沉积设备。所述设备包括处理腔(5)，该处理腔包括许多壁元件(1、2、3、4)，所述壁元件(1、2、3、4)是导电的并且端对端放置，这样形成接触(2’、2”、3’、3”)；反应器壳体(6)，该壳体包围处理腔的壁元件并且由非导电材料制成；和RF加热线圈，该线圈围绕处理腔的壁元件(1、2、3、4)。本发明的特征在于，实体单件屏蔽加热管(8)植入到反应器壳体(6)和处理腔的壁(1、2、3、4)之间。所述管的材料是导电的，使得其被RF线圈产生的RF场感应在其内的涡流加热，并且使得该管显著地吸收RF场并且加热处理腔的壁(1、2、3、4)。 | ||
| 申请公布号 | CN101072900A | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN200580042263.8 | 申请日期 | 2005.12.12 |
| 申请人 | 艾克斯特朗股份公司 | 发明人 | 约翰尼斯·卡普勒;弗兰克·维施迈尔 |
| 分类号 | C30B25/10(2006.01);C23C16/46(2006.01) | 主分类号 | C30B25/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王冉;王景刚 |
| 主权项 | 1.一种用来在至少一个基片，特别是结晶基片上沉积层，特别是结晶层的设备，该设备包括处理腔(5)，该处理腔由许多壁元件(1、2、3、4)形成，这些壁元件(1、2、3、4)是导电的并且靠着彼此啮合以形成碰触接触(2’、2”、3’、3”)；包括反应器壳体(6)，该壳体容纳处理腔壁元件(1、2、3、4)且由非导电材料构成；和包括RF加热线圈，该线圈包围处理腔壁元件(1、2、3、4)，其特征在于，单件固体屏蔽/加热管(8)，其设置在反应器壳体(6)和处理腔壁(1、2、3、4)之间，该屏蔽/加热管的材料以这样的方式导电，即该屏蔽/加热管被RF线圈(7)产生的RF场所感应的涡流加热，该屏蔽/加热管将所述RF场衰减到显著的程度并且该屏蔽/加热管加热处理腔壁(1、2、3、4)。 | ||
| 地址 | 德国亚琛 | ||