发明名称 高功率低共振频率之超薄扬声器
摘要 一种高功率低共振频率之超薄扬声器,其系于扬声器内部音圈之线圈外缘或底缘固设一架桥(bridge),架桥往外周延伸出,一U铁,该U铁依避开架桥位置设有两个以上的缺槽,一阻尼器(Damper),该阻尼器之内圈固设至架桥穿出于U铁缺槽之自由端,阻尼器外圈固定至支架阶形突缘,据此,U铁设缺槽,并藉由架桥将阻尼器外移至U铁外,使扬声器整体高度可以再压缩,达到超薄高功效低共振频率扬声器功效者。
申请公布号 TWM322120 申请公布日期 2007.11.11
申请号 TW096206520 申请日期 2007.04.24
申请人 志佳多媒体股份有限公司 发明人 孙思玮
分类号 H04R5/02(2006.01) 主分类号 H04R5/02(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种高功率低共振频率之超薄扬声器,系包含有: 一支架,支架顶缘之突缘设有悬边,悬边另一侧缘 则与一振动盘相连接,而该振动盘之另一端缘则与 音圈异于线圈之端部相连接,且该振动盘位于音圈 之上方位置处,盖设一防尘盖; 一U铁,该U铁之底端缘可供结合至支架底部,该U铁 顶面并向内凹设有一凹室,凹室并向周边设有二以 上之缺槽,又该U铁中央设有一磁铁,而磁铁之上设 有一华司; 一音圈,该中空之音圈套设于磁铁外缘,该音圈之 下端处上绕设有线圈,并于线圈上涂抹耐高温之黏 胶,以供黏固一架桥,又该架桥之数支臂由U铁之缺 槽穿出至外部,一阻尼器,该阻尼器之内圈乃得以 固接至架桥之上,而阻尼器之外圈则固接至支架之 其一阶形突缘上形成固定; 藉由上述组成,U铁设缺槽使阻尼器得以设于U铁外 周,并藉由架桥连结音圈,并使整体高度可降低而 成超薄形扬声器。 2.如申请专利范围第1项所述之高功率低共振频率 之超薄扬声器,其中该支架得设成支架内部形成有 呈渐窄阶梯状之容置空间。 3.如申请专利范围第1项所述之高功率低共振频率 之超薄扬声器,其中该架桥可黏合至线圈下之音圈 上。 4.如申请专利范围第1项所述之高功率低共振频率 之超薄扬声器,其中该架桥之支臂穿出于缺槽后, 亦可回复架桥之圆盘形状设置。 图式简单说明: 第一图:系其一习用扬声器之剖示图。 第二图:系其二习用高功率低共振频率扬声器之剖 示图。 第三图:系本创作高功率低共振频率之超薄扬声器 之剖示图。 第四图:系本创作高功率低共振频率之超薄扬声器 之局部立体示意图。 第五图:系本创作高功率低共振频率之超薄扬声器 之另一实施例剖示图。
地址 桃园县龟山乡南上路384号