| 主权项 |
1.一种制造以氮化物为基础之单晶基板的方法,其 系包括: 将暂设基板放置于安装在反应室内的承载器上; 于该暂设基板上成长氮化物单晶层,其中该氮化物 单晶层之成长包含第一次成长具有指定厚度之氮 化物单晶膜以及第二次成长氮化物单晶于该第一 次成长的氮化物单晶膜上;以及 在将该暂设基板置于该反应室内的情况下,以雷射 光束照射使该第一次成长的氮化物单晶层自该暂 设基板至少部份地分开,其中该雷射光束之照射系 在该第一次成长与该第二次成长之间进行。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该雷射光束 之照射系在800至1,200℃的温度范围内进行。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中,该雷射光束 之照射系以与成长该氮化物单晶层的温度相同的 温度进行。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氮化物单 晶层为满足AlxInyGa1-x-yN(在此,0≦x≦1,0≦y≦1,且0≦ x+y≦1)组成的单晶层。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中,该暂设基板 系由下列各物构成之组群中选出之一者所制成:蓝 宝石、碳化矽、矽、尖晶石、氧化镁、铝酸锂、 以及镓酸锂。 6.如申请专利范围第1项之方法,复包括:在成长该 氮化物单晶层之前,在该暂设基板上成长满足 AlxInyGa1-x-yN(在此,0≦x≦1,0≦y≦1,且0≦x+y≦1)组成 的低温缓冲层,其中该暂设基板为矽基板。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中,穿过该反应 室之上表面形成透明窗,用以使该雷射光束照射至 置于该承载器上之该暂设基板。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中: 该暂设基板系由能带间隙比该氮化物单晶层宽的 材料制成;以及 该雷射光束之照射包含: 移动该暂设基板使得该雷射光束照射至形成有该 氮化物单晶层之该暂设基板的下表面;以及 使该雷射光束照射至该暂设基板之下表面。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中: 该暂设基板系由能带间隙比该氮化物单晶层窄的 材料制成;以及 该雷射光束之照射包含:使该雷射光束照射至形成 于该暂设基板之上表面之该氮化物单晶层。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中: 进行该雷射光束之照射使得该第一次成长的氮化 物单晶层自该暂设基板完全地分开。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氮化物单 晶层之成长包含: 第一次成长具有指定厚度之氮化物单晶膜;以及 第二次成长氮化物单晶于该第一次成长的氮化物 单晶膜上, 进行该雷射光束之照射使得该第一次成长的氮化 物单晶层自该暂设基板部份地分开;以及 复包括:在第二次成长之后使该氮化物单晶层自该 暂设基板完全地分开。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中: 该暂设基板为矽基板;以及 该第一次成长的氮化物单晶膜的厚度为0.1至1微米 (m)。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中: 该暂设基板为蓝宝石基板;以及 该第一次成长的氮化物单晶膜的厚度为5至100微米 。 14.如申请专利范围第11项之方法,其中,在照射该雷 射光束使该氮化物单晶层自该暂设基板部份地分 开时,该雷射光束之照射系使得雷射光束照射区域 以指定的间隔彼此分开。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中,系以氢化物 气相磊晶法(HVPE)、金属有机化学气相沈积法(MOCVD) 、或分子束磊晶法(MBE)进行该氮化物单晶层之成 长。 图式简单说明: 第1图为一剖视图,其系图解说明使氮化物单晶自 蓝宝石基板分开的步骤; 第2a至2d图为剖视图,其系根据本发明之一具体实 施例,图解说明一种制造以氮化物为基础之单晶基 板的方法; 第3a至3d图为剖视图,其系根据本发明另一具体实 施例,图解说明一种制造以氮化物为基础之单晶基 板的方法; 第4a与4b图为示意图,其系图解说明本发明所用之 雷射光束照射轨迹; 第5a至5e图为剖视图,其系根据本发明另一具体实 施例,图解说明一种制造以氮化物为基础之单晶基 板的方法;以及 第6a与6b图为剖视图,其系图示用以制造本发明以 氮化物为基础之单晶基板的装置。 |
