| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之快速热处理方法,包含有: 提供一快速热处理(RTP)反应舱,其包括有至少一加 热源、一旋转驱动机制,用以转动半导体晶圆,以 及一冷却系统,用以冷却该RTP反应舱之内壁; 将一半导体晶圆载入该RTP反应舱中,此时该RTP反应 舱之内壁由该冷却系统降温至第一温度; 以该加热源快速预热该半导体晶圆至一第二温度, 其中该第二温度高于该第一温度;以及 当该半导体晶圆的温度到达该第二温度时,始启动 该旋转驱动机制,进行该半导体晶圆的旋转,且同 时间亦持续将该半导体晶圆的温度拉升至第三温 度。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中以该加热源快速预热该半导体晶 圆至该第二温度系在30秒内完成。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该第一温度介于30℃至80℃。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该第二温度介于100℃至250℃。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该第三温度介于700℃至1100℃。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该旋转驱动机制为机械方式,包 括齿轮组合。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该旋转驱动机制为磁力方式。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该旋转驱动机制为气动(gas-driven) 方式。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该RTP反应舱另有一电脑,控制该 旋转驱动机制、该加热源之输出以及制程气体的 流量。 10.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该半导体晶圆的温度被拉升至该 第三温度后,维持在该第三温度一段时间。 11.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该半导体晶圆的温度被拉升至该 第三温度后,随即被冷却。 12.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之快速 热处理方法,其中该加热源包含有卤素灯以及钨丝 灯。 13.一种半导体晶圆之快速热处理方法,包含有: 提供一快速热处理(RTP)反应舱,其包括有至少一加 热源、一旋转驱动机制,用以转动半导体晶圆,以 及一冷却系统,用以冷却该RTP反应舱之内壁; 将一半导体晶圆载入该RTP反应舱中,此时该RTP反应 舱之内壁由该冷却系统降温至第一温度,且该半导 体晶圆的温度低于该第一温度,导致附着并累积在 该RTP反应舱的较热内壁上的微粒污染物有朝向刚 载入RTP反应舱中的该半导体晶圆的较冷表面移动 扩散之倾向; 以该加热源快速预热该半导体晶圆至一第二温度, 其中该第二温度高于该第一温度,藉此消除该微粒 污染物扩散倾向;以及 当该半导体晶圆的温度到达该第二温度时,始启动 该旋转驱动机制,进行该半导体晶圆的旋转,且同 时间亦持续将该半导体晶圆的温度拉升至第三温 度。 图式简单说明: 第1图绘示的是习知技艺RTP反应舱的剖面示意图。 第2图绘示的是习知RTP方法的流程图。 第3图绘示的是本发明较佳实施例之RTP制程流程图 。 第4图以及第5图分别绘示的是本发明RTP制程在「 浸泡(soak)」模式及「尖峰(spike)」模式下的升温程 式曲线图。 |
