| 主权项 |
1.一种由数种半导体材料所构成之多层结构之制 造方法,该结构包含一由一第一半导体材料所构成 之基板(20)以及一由一第二半导体材料所构成之外 表薄层,两种半导体材料具有实质上不同的晶格参 数,其特征为该方法包含下述步骤: 在一支撑基板(100)上产生包含该外表薄层之一层( 110); 在藉由该支撑基板与该沈积层而形成之总体(10)中 建立一脆化区; 使该总体与一目标基板(20)接合; 于这个脆化区之阶层脱离;及 处理所产生之结构之表面。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其特征为产生 一层之该步骤系藉由磊晶而完成。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其特征为该磊 晶系藉由使用下述步骤进行: 使支撑基板的温度稳定于一第一预设稳定温度; 于该第一预设温度下进行化学气相沈积,直到为包 含外表薄层之该层(110)获得位在小于一最后期望 厚度之一预设厚度之支撑基板上之一基底层为止; 增加该化学气相沈积之温度从该第一预设温度至 一第二预设温度;以及 于该第二预设温度下继续化学气相沈积,直到为该 层获得一最后期望厚度为止。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其特征为第一 预设温度系大约为400℃至500℃,而第二预设温度系 大约为750℃至850℃。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其特征为第一 预设温度系大约为430℃至460℃,而第二预设温度系 大约为800℃至850℃。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其特征为该层 系藉由建立一应变层并藉由松弛这个层而产生。 7.如申请专利范围第1至6项中之任一项所述之方法 ,其特征为该脆化区之产生系藉由植入而执行。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其特征为植入 系为至少两种物质之共同植入。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其特征为该植 入系在生产阶段与接合阶段之间被执行。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其特征为执 行植入俾能将脆化区界定在支撑基板之厚度中。 11.如申请专利范围第9项所述之方法,其特征为执 行植入俾能将脆化区界定在对应于一晶格参数适 应层所建构之层(110)之一区域中。 12.如申请专利范围第9项所述之方法,其特征为执 行植入俾能将脆化区界定在对应于一松弛层所建 构之层(110)之一区域中。 13.如申请专利范围第1至6项中之任一项所述之方 法,其特征为在接合之前,将一电性绝缘层插在藉 由支撑基板与沈积层而形成之该总体(10)与目标基 板(20)之间。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其特征为在 接合之前,一电性绝缘层系形成于藉由支撑基板与 沈积层而形成之该总体(10)之表面上。 15.如申请专利范围第13项所述之方法,其特征为在 接合之前,一电性绝缘层系形成于目标基板上。 16.如申请专利范围第13项所述之方法,其特征为该 电性绝缘层系为一氧化层。 17.如申请专利范围第1至6项中之任一项所述之方 法,其特征为多层结构之基板(20)系由矽所构成。 18.如申请专利范围第1至6项中之任一项所述之方 法,其特征为支撑基板(100)系由矽所构成。 19.如申请专利范围第1至6项中之任一项所述之方 法,其特征为所建构之层(110)系由SiGe或Ge所构成。 20.如申请专利范围第1至6项中之任一项所述之方 法,其特征为当正在形成该层时,一阶层系对应于 供化学侵蚀用之一止挡层而在表面处理阶段期间 建构之。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其特征为当 正在形成该层时,形成对应于下述之三个阶层: 阶层1:晶格参数适应层; 阶层2:止挡层;及 阶层3:待获得之结构之活性层。 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其特征为对 应于该三个阶层之层之材料构成下述组合之其一: 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其特征为对 应于该三个阶层之层之材料构成下述组合之其一: 24.如申请专利范围第20项所述之方法,其特征为将 该止挡层保留在最后结构中。 25.如申请专利范围第21项所述之方法,其特征为将 该止挡层保留在最后结构中。 26.如申请专利范围第19项所述之方法,其特征为当 正在形成该层时,分别形成对应于下述之两个阶层 : 阶层1:晶格参数适应层;及 阶层2:待获得之结构之活性层。 27.如申请专利范围第25项所述之方法,其特征为对 应于该两个阶层之层之材料构成下述组合之其一: 图式简单说明: 图1a至1e显示出用以实施本发明之一个实施例之主 要步骤。 |
