发明名称 矽晶圆的研磨方法以及晶圆研磨用研磨垫
摘要 本发明系揭示一种晶圆研磨用研磨垫,系适合应用在有效防止晶圆的外周歪曲之晶圆的研磨方法及其晶圆的研磨方法者。该晶圆的研磨方法系使晶圆主面与使不织布含浸于树脂之研磨垫滑接,以进行镜面研磨者,使上述研磨垫的表面粗糙度与压缩率的比{表面粗糙度(μm)/压缩率(%)}高于3.8以进行研磨。
申请公布号 TWI289889 申请公布日期 2007.11.11
申请号 TW091132083 申请日期 2002.10.29
申请人 信越半导体股份有限公司;罗代尔霓塔股份有限公司 发明人 村寿;富井 和弥;伊藤荣直;安在健一;井上宪一
分类号 H01L21/304(2006.01);B24B37/04(2006.01);B24D3/28(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种矽晶圆的研磨方法,系于不织布含浸于树脂 之研磨垫使矽晶圆主面滑接,使用含有矽酸胶之研 磨液,进行镜面研磨之矽晶圆研磨方法,其特征为: 作为前述不织布而使用聚酯毡(polyester felt),使该 聚酯毡含浸于聚胺酯,以前述研磨垫的压缩率成为 2%左右之方式,调整前述聚胺酯的含浸量,接着利用 藉由颗粒粗糙度为#100前后的研磨石来擦光(buffing) 前述研磨垫表面,藉此制造前述研磨垫, 将前述研磨垫的表面粗糙度与压缩率的比{表面粗 糙度(m)/压缩率(%)}设为3.8以上10以下,将前述研 磨垫的压缩率设为2%以上4.5%以下,将前述研磨垫的 表面粗糙度设为15m至19m而进行研磨。 2.一种晶圆研磨用研磨垫,系使用于使用含有矽酸 胶之研磨液之镜面研磨,且不织布含浸于树脂之矽 晶圆研磨用研磨垫,其特征为: 作为前述不织布而使用聚酯毡(polyester felt),使该 聚酯毡含浸于聚胺酯,以前述研磨垫的压缩率成为 2%左右之方式,调整前述聚胺酯的含浸量,接着利用 藉由颗粒粗糙度为#100前后的研磨石来擦光(buffing) 前述研磨垫表面,藉此制造前述研磨垫, 将前述研磨垫的表面粗糙度与压缩率的比{表面粗 糙度(m)/压缩率(%)}设为3.8以上10以下,将前述研 磨垫的压缩率设为2%以上4.5%以下,将前述研磨垫的 表面粗糙度设为17m至19m。 图式简单说明: 第1图系显示实验例1的研磨垫之{表面粗糙度(m)/ 压缩率(%)}与平坦度(边缘2mm除外时)的关系。 第2图系显示实验例1的研磨垫之{表面粗糙度(m)/ 压缩率(%)}与平坦度(边缘2mm除外时)的关系。 第3图系显示实验例1的研磨垫之压缩率(%)}与平坦 度(边缘2mm除外时)的关系。 第4图系本发明方法所使用的研磨装置之一例的主 要部分概略剖视说明图。
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